展位号：1S73
主营产品：
我们公司的主要产品有GaN功率器件、直流充电桩、48W适配器；其中GaN功率器件包括LGA封装、DFN封装、QFN封装、SOP封装、TO封装；直流充电桩是30KW 电动汽车直流充电桩,将充电桩和充电电源模块融于一体，实现对电动车充电的管理、计费和相应的电池状态检测和自动化充电过程。适合公交系统、汽车租赁--大巴、中巴、夜间无人值守工作。直流充电桩保护功能齐全，产品安全性能高，还具备智能识别电池类型，执行遥控动作。48W便携式电源适配器型号为GPSA-4501，输入为100-240V～ 50/60Hz 1.0A，输出为5VDC-3A，9VDC-3A，12VDC-3A，15VDC-3A，20VDC-2.25A；具有小体积、重量轻、流线型、全密封、携带方便。
GP16520DS
650V N-channel GaN FET in DFN6X8 （ GP16520DS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（64毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16510L
650V N-channel GaN FET in LGA （GP16510L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（128毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16510S
650V N-channel GaN FET in SOP-16-W（GP16510S）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（128毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16510TS
650V N-channel GaN FET in TO-220 (Drain Tab)（GP16510TS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（128毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16515DS
DFN6X8 （GP16515DS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85.3毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16515L
650V N-channel GaN FET in LGA（GP16515L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85.3毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16515TS
650V N-channel GaN FET in TO-220 (Drain Tab)（GP16515TS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85.3毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16520L
650V N-channel GaN FET in LGA（GP16520L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（64毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16530DS
650V N-channel GaN FET in DFN6X8 （GP16530DS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（64毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP16530L
650V N-channel GaN FET in LGA（GP16530L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（42.7毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
GP36515S
650V N-channel GaN FET in SOP-16-W（GP36515S）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
