• 1.54亿！三安光电第三代半导体项目获补贴；

• PI推出全新MinE-CAP IC：氮化镓充电器变得更小了；

• 联发科8500万美元并购Intel旗下电源芯片产品线；

• 史上最快！OPPO 125W超级快充明年Q1量产商用；

• 英飞凌签约GT Advanced Technologies，扩大碳化硅供应；

• 300亿元，这个第三代化合物半导体项目落户江西南昌；

• 美国研发碳纳米管助推锂电池；

• TI发布汽车级和工业级两款GaN功率器件；

• 英飞凌新增在华投资，扩大无锡工厂IGBT生产线；

• 涉及半导体设备和材料领域，上海金桥签约多个半导体产业项目；

• INTEL、OPPO、红杉资本等投资南芯半导体；

• 电源管理芯片市场规模不断增长，前景较为广阔；

• 功率器件需求暴增，SiC前景看好。

▼往届部分参展商


 

1.54亿！三安光电第三代半导体项目获补贴

公告显示，长沙高新技术产业开发区管理委员会于11月13日拨付湖南三安15,372.65万元。湖南三安是三安光电在长沙投建的160亿元第三代半导体项目的实施主体，经营范围包括研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管/MOSFET等第三代半导体产品。

此项目聚焦包括但不限于碳化硅的第三代半导体产业，拟建设长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链。8月消息显示，湖南三安已完成部分项目用地摘牌，剩余土地也将尽快摘牌，项目处于基础建设阶段。

PI推出全新MinE-CAP IC：氮化镓充电器变得更小了

近日，深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations公司发布适用于高功率密度、通用输入AC-DC变换器的MinE-CAP IC。这种新型IC可将离线电源所需的高压大容量电解电容器的尺寸减半，使得适配器的尺寸最多缩小40%。

联发科8500万美元并购Intel旗下电源芯片产品线

11月16日晚，IC设计龙头联发科公告称，将通过子公司立锜取得英特尔旗下Enpirion电源管理芯片产品线相关资产，预计总交易金额约8500万美元（折合人民币5.597亿元）。交易完成日期暂定第四季，实际日期待相关法律程序完备后交割。
联发科表示，此次并购目的在于拓展公司产品线，提供使用在FPGA、SoC、CPU、ASIC的整合式高频与高效率电源解决方案，瞄准企业级系统应用。
 

史上最快！OPPO 125W超级快充明年Q1量产商用

博主@数码闲聊站透露，OPPO目前内部待发技术产品有内折叠屏、新一代屏下前摄、10X光变/100X+数字变焦、连续光变模组、125W有线/65W无线等等诸多新技术，其中有一大半明年新机会上。同时，OPPO 125W超级快充会在2021年Q1量产商用。

这项快充技术在今年7月份的ChinaJoy展上OPPO曾公开展示过,是目前业界功率最高的手机快充技术。根据官方此前展示的数据,只需要5分钟便可将等效4000mAh的电池充到41%，20分钟便能完全充满。它采用转换效率高达98%的并联三电荷泵方案,适配器输出的20V 6．25A功率经过三个并联的电荷泵降压转换成10V 12．5A进入电池,有效避免了大电流造成的电荷泵过载、过热情况。

英飞凌签约GT Advanced Technologies，扩大碳化硅供应

2020年11月，英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies已经签署碳化硅晶棒供货协议，合同预期五年。通过这份供货合同，英飞凌将进一步确保满足其在该领域不断增长的需求。碳化硅是功率半导体的基础材料，可用于打造高效、耐用、高性价比的系统。英飞凌现已面向工业应用市场推出业界规模最大的CoolSiC产品组合，并且正在迅速扩大面向消费和汽车应用的产品组合。

300亿元，这个第三代化合物半导体项目落户江西南昌

近日，据江西广电报道，康佳（江西）半导体高科技产业园项目已经正式开工建设。11月11日，江西康佳半导体高科技产业园暨第三代化合物半导体项目落户南昌经开区，康佳集团拟在南昌经开区引进第三代化合物半导体项目等。
该项目分两期建设，一期投资50亿元，主要建设第三代化合物半导体项目及其相关配套产业，同步建设半导体研究院，将打造成集研发、设计、制造为一体的高科技项目。二期项目以半导体材料类、半导体应用类项目为主，以及半导体封测类、芯片设计类项目，引进一批符合本产业园定位的半导体及相关产业链项目，为实现第三代化合物半导体材料、应用、封测、芯片设计等产业生态链布局。

美国研发碳纳米管助推锂电池

11月，美国的科学家研究了在锂离子电池电极中使用不同的导电填充材料,发现在镍钴锰阴极中添加单壁碳纳米管可以提高整个电池的电导率和更高的倍率能力。根据该小组的研究结果,可以为高功率,高能量电池电极的设计提供新的见解。

TI发布汽车级和工业级两款GaN功率器件

2020年11月10日德州仪器推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓场效应晶体管，进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59％。TI利用其独有的GaN材料和在硅基氮化镓衬底上的加工能力开发了新型FET，与碳化硅等同类衬底材料相比，更具成本和供应链优势。

英飞凌计划扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线

据英飞凌官方消息，11月6日，英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布，将新增在华投资，扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后，将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将以更丰富的IGBT产品线，满足快速增长的可再生能源、新能源汽车等领域的应用需求。

据悉，建成后的新生产制造中心将生产用于电动汽车的HybridPACK™双面冷却模块，用于风电、光伏及众多工业应用的EasyPACK™ 1A/2A模块和 1B/1B模块，用于家电和工业等领域的CIPOS™ Mini智能功率模块 (IPM）等功率模块器件。其中，HybridPACK™双面冷却模块是英飞凌全新的IGBT产品，可应用于混合动力及电动汽车的主逆变器和充放电。目前该模块已成功用于全球多款插电式混动、电动汽车中。

涉及半导体设备和材料领域，上海金桥签约多个半导体产业项目

项目一：上海芯泳半导体有限公司第三代氮化镓材料及5G射频器件项目，该项目由中科院赵连城院士和董绍明院士领衔，全力突破我国宽禁带材料和5G射频器件“卡脖子”环节，总投资额约20亿元；

项目二：台湾欣忆电子股份有限公司第三代半导体专业设备制造项目，计划在金桥综保区成立，一期投资2亿元；

INTEL、OPPO、红杉资本等投资南芯半导体

充电头网获悉，上海南芯半导体科技有限公司近期发生工商变更，迎来小米长江基金、红杉资本、OPPO、英特尔亚太等多家基金和企业入股。

作为中国电源界的一颗新星，上海南芯推出了中国首颗全系列升降压电池电源解决方案，在该领域与凌特、TI等老牌大厂同台竞技，成为中国芯的骄傲。同时，上海南芯以Buck-Boost为核心，为电源行业提供了灵活、多用途、高品质且价格适中的电源管理方案。目前已经顺利进入华为、OPPO、三星、小米、联想、海翼和欣旺达等知名厂商供应链，深受业内人士好评。

电源管理芯片市场规模不断增长，前景较为广阔

电源管理芯片对电子系统而言是不可或缺的，其性能的优劣对整机的性能有着直接的影响，电源管理芯片在电子信息产品中具有广泛的产品应用。电源管理芯片被广泛应用于白色家电、黑色家电、小型家电、移动终端等产品中，在国内市场上，2016-2019年，电源管理芯片行业市场规模从585.1亿元增长至735.8亿元，年均增长率为7.94%，行业整体保持着稳定增长的状态。

随着5G通信、物联网、智能家居、汽车电子、工业控制等新兴应用领域的发展，电源管理芯片下游市场有望持续发展。根据TMR的分析，预测全球电源管理芯片市场在2018-2026年期间年均复合增长率将达到10.69%，全球电源芯片市场规模2026年将达到565亿美元，其中以大陆为主的亚太地区是未来全球电源管理芯片最大的成长动力。

功率器件需求暴增，SiC前景看好

富士经济在2020年6月份公布了全球功率半导体市场规模，如下：2019年全球规模约为2兆9,141亿日元（约人民币1,923亿元），2030年将会达到4兆2,652亿日元（约人民币2,815亿元）。其中，最令人瞩目的是采用了SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）、氧化镓等材料的新一代功率半导体。

据富士经济预测，从整个功率半导体市场来看，虽然硅（Si）制功率半导体还占有90%的市场份额。但新一代功率半导体也在持续扩大，2030年全球市场规模将会达到2019年的约6.2倍，为2,831亿日元（约人民币186.85亿元，2019年实绩为455亿日元，约人民币30.03亿元）。

与Si功率半导体相比，SiC功率半导体具有较低的“开关（Switching）损耗”和“导通损耗”、不随温度变化而变化、功耗极低等优势，因此自2018年以来逐渐开始被应用于电动汽车的On Board Charger（车载充电器）、DC/DC转换器等方面，据富士经济预测，2030年的市场规模将会达到2019年的四倍多，为2,009亿日元（约人民币132.59亿元）。在信息通信设备领域具有应用优势的GaN功率半导体的需求稳步增长，与SiC相比，虽然市场规模相对较小，但毫无疑问，新一代功率半导体市场将会由SiC功率半导体牵引。