近年来，中国新能源产业蓬勃发展，加速了上游电力电子器件的国产化进程。SiC MOSFET及硅IGBT功率半导体模块作为新能源汽车、新能源发电等电力电子系统中的核心部件，全面国产化势在必行。FT测试，作为功率半导体器件出厂的最后一道关卡，承担着把住门槛（筛选不良品）和保住产能（持续交付）的重要责任。

作为碳化硅核心功率部件创新领导者，忱芯科技主要为宽禁带功率半导体及高性能IGBT功率半导体提供从实验室到生产线全系列覆盖的ATE测试装备，产品线实现从晶圆级、器件级、到应用级全覆盖。目前，ATE全系列已延展至Wafer & Die动静态与可靠性测试系统，不仅可实现高性能测试，300UPH的效率也让测试不再成为产能瓶颈，助力中国芯发展，强力赋能功率半导体国产化浪潮。

测得准  测得快  测得可靠

车规级应用对于功率半导体性能要求极高，只要wafer、晶圆、封装、工艺等任一环节出现缺陷，最终将导致功率半导体无法满足客户要求。而在每一环节，精准捕捉缺陷，筛选并淘汰不良品，确保向客户交付高性能高可靠的功率半导体器件/模块是每一家功率半导体企业建立品牌力、提高市占率、谋求长远发展的必经之路。

没有精准测量，何谈精准捕捉？

忱芯科技Edison系列SiC/IGBT功率半导体器件动静态测试系统，重点突破影响精准、可靠测试的关键卡脖子难点，包括：

推出至今，Edison系列SiC/IGBT功率半导体器件动静态测试系统已成功在多家头部功率半导体企业实现装机，量产运行可靠、稳定。

动态测试系统·产线版 & 静态测试系统·产线版

持续突破

为SiC功率半导体可靠性测试“量身定制”

忱芯科技推出国内首台SiC单管功率器件

与功率模块动态可靠性系统

以新能源汽车、新能源发电实际应用工况为导向，Dynamic HTGB/HTRB/H3TRB系统，通过监测SiC MOSFET实际应用栅极开关运行条件下的特性参数变化，研究交流偏压温度不稳定性（AC BTI）的失效机制，验证并评估SiC MOSFET器件的栅极可靠性，英飞凌等国际功率半导体头部企业已经采用动态可靠性测试方法提升SiC MOSFET可靠性，已经被纳入AQG324、JEDEC等国际标准。

但是，实现高频、高速、高精度、高可靠的动态可靠性测试，对于设备来说，挑战巨大。

忱芯科技核心研发团队率先开展技术攻坚，已成功推出业内首台SiC MOSFET Dynamic HTGB/HTRB/H3TRB系统，覆盖碳化硅单管功率器件及功率模块测试，实现可调频率(交流动态应力频率高达500kHz)，门极高频应力发生器dV/dt>1V/ns，漏极高频应力发生器dV/dt>50V/ns，可调正负驱动电压与占空比、实现多器件高温(200℃)、高速、高精度动态可靠性测试。让高温、高频应力下，完美的方波电压不再只停留在教科书上。

忱芯科技SiC MOSFET动态可靠性测试系统

同时，为响应客户的急迫需求，忱芯科技集中优势研发力量，已开始覆盖晶圆级测试系统，包括KGD、动态WLR等ATE测试设备，预计2023年下半年陆续装机交付。

About UniSiC

忱芯科技主要为宽禁带功率半导体及高性能IGBT功率半导体提供从实验室到生产线全系列覆盖的ATE测试装备。产品线延展从晶圆级、器件级、到应用级全覆盖。

忱芯科技的核心亮点和核心优势在于对碳化硅功率半导体特性精准特测与高频电力电子应用的深刻理解，公司的主要研发团队来源于GE中央研究院，从事碳化硅功率半导体与应用研究逾十年，且成功开发了多个碳化硅行业首台套产品，性能国际领先。

目前，忱芯科技功率半导体动静态ATE设备已实现批量量产，产品线实现了晶圆级、器件级、应用级的全覆盖，主要包括：动态测试系统、静态测试系统、动态可靠性测试系统、车规级连续功率（无功老化）测试系统、DHTOL功率半导体器件带载老化测试系统、KGD动静态测试系统、WAT测试系统、WLR可靠性测试系统等。赋能功率半导体晶圆与封装及新能源赛道企业实现精准、可靠、高性价比测试。