安森德SJ MOSFET应用

随着科技的不断进步，人工智能、5G通信技术、新能源等日益兴起，而新技术在不同的应用场景下也面临着不同的考验，随之配套的大功率电源正是其中之一。大功率电源正面临着体积、重量、工作效率、抗干扰性能、电池兼容、待机能耗以及安全性等诸多方面的挑战。

超结MOSFET具有低导通损耗、低开关损耗、高开关速度等优点，在大功率电源中发挥着重要作用。随着半导体工艺的不断发展，超结MOSFET的导通损耗和开关损耗将进一步降低，为各种大功率电源设备带来更高的效率和更低的能源消耗。

效率高

较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、Qg，有效的降低导通、开关损耗。

低温升

较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。

稳定性强

强大的 EAS 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。

内阻低

超结MOS具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结MOS芯片的内阻甚至只有传统MOS的一半以上。

体积小

在同等电压和电流要求下，超结MOS的芯片面积能做到比传统MOS更小，可以封装更小尺寸的产品。

深圳安森德半导体有限公司（ASDsemi）成立于2018年，是一家更懂应用的模拟芯片和系统级芯片设计公司，拥有完全自主知识产权发明专利20+，先后获得国家高新技术企业，创新型中小企业，ISO9001认证企业等荣誉资质。

安森德（ASDsemi）坚持“技术驱动创新”的发展路线，产品覆盖功率器件：中低压 MOS、高压超结MOS、第三代半导体SiC、GaN；模拟芯片：电源管理芯片、信号链芯片；SiP系统级芯片三大类产品线。产品可广泛应用于通信、BMS、电机、电源、家电、工业、新能源、储能、光伏、电力、智能家居、物联网、消费电子、汽车电子等众多领域。