基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200V分立器件，RDS(on)分别为40mΩ和80mΩ。
NSF040120L3A0和 NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后 Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同 RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。
Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：
“Nexperia 和三菱电机希望通过这两款首发产品为市场带来真正的创新，这个市场一直渴望更多的宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件在多个参数上都具有一流的性能，例如超高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量 SiC MOSFET 的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动 SiC 器件性能的发展。”
三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：
“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”
RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。Nexperia认为这是目前市场上许多SiC器件性能的限制因素。但是通过创新工艺技术，Nexperia的首款SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加 38%。这与市场上其他许多目前可用的SiC器件不同。
Nexperia SiC MOSFET的总栅极电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，Nexperia 通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。
除了正温度系数外，Nexperia SiC MOSFET的 VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。
Nexperia未来还计划推出车规级 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 现已投入大批量生产。请联系Nexperia销售代表获取全套 SiC MOSFET 样品。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
Nexperia：效率致胜。
文章及图片来源 | 安世半导体
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