iPhone 15电池健康改进！苹果重新测试了所有电池

2月22日，苹果公司宣布重新测试了所有iPhone 15机型的电池，并确定它们能够达到更高的标准。在当天更新的一份支持文件中，苹果公司表示，iPhone 15、iPhone 15 Plus、iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max的电池在理想条件下1000次完整充电循环时仍能保持80%的原始容量，而苹果宣传的所有老款iPhone都只有500次充电循环才能达到同样水平。

苹果公司告诉外媒MacRumors，其对iPhone 15机型的最新测试涉及在特定条件下对电池进行1000次充放电，但没有提供有关这一过程的任何确切细节。苹果补充说，它一直在不断改进iPhone电池组件和电源管理系统。这一发现意味着，与之前的iPhone机型相比，iPhone 15机型的最大电池容量可能需要更长的时间才会下降到80%。

英国打造5G通信领域射频氮化镓器件自主供应链

在英国科学、创新和技术部（DSIT）的支持下，由INEX Microtechnology、Custom Interconnect Ltd、Viper RF和化合物半导体应用弹射中心（CSA Catapult）等机构组成的项目联盟，正致力于通过ORanGaN项目打造全新的自主供应链，专注于研发英国的射频氮化镓（RF-GaN）产品和设备。这一项目的实施，不仅将为英国制造商提供更稳固的保障，同时也将为硬件制造商开辟更广阔的出口市场。更重要的是，它将对英国的5G基础设施和网络韧性产生深远影响，从而助力英国经济的持续增长。

目前，英国在商用RF-GaN器件的开发和生产方面尚未达到完全自给自足的状态。ORanGaN项目的核心目标正是弥补这一缺陷，通过研发新的制造工艺和封装解决方案，打造5G核心组件，如基于氮化镓技术的单片微波集成电路芯片（MMIC）。在此过程中，各合作伙伴将协同工作，从MMIC的设计与开发，到芯片的实际制造，再到技术的测试与表征，以及芯片的电子与封装等环节，都将密切合作。项目计划在2024年2月结束，标志着英国在RF-GaN制造领域的出口能力迈上新的台阶。

三安/意法合资SiC衬底项目预计2024年8月份提前投产

据重科城微报消息，作为重庆在半导体领域的又一旗舰项目，位于西部（重庆）科学城的三安意法半导体项目在春节期间不停工，建设取得快速进展，预计年内亮灯通线，比原计划提前2个月。三安意法半导体项目，包括一家专业从事碳化硅外延、芯片、研发、制造、销售的车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。

其中，车规级功率芯片制造企业，由国内化合物半导体龙头企业三安光电和国际半导体巨头意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元。达产后，每年能生产48万片8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片，在行业处于前沿水平。安意法半导体有限公司总经理张洁博士表示：“乐观地预计，在今年的8月和11月，我们能够分别进行衬底厂和芯片厂的点亮投产。

英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域

英飞凌近日宣布其与全球充电技术领域巨头安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新应用中心。该创新应用中心全面投入运营之后，将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路，从而推动低碳化进程。借助该创新应用中心，行业专家将基于英飞凌新一代混合反激式（HFB）控制器产品系列和用于100 W以上快充充电器的CoolGaN™IPS产品系列进行深入开发，为市场提供更高功率密度与高能效的PD快充解决方案。

英飞凌&Worksport将GaN用于车载便携电源

2月7日，英飞凌宣布与Worksport合作，后者将在其便携式发电站的转换器中使用GaN器件。据介绍，Worksport公司的 COR 电池系统可集成到皮卡车上，由太阳能电池板或墙上插座充电。该公司表示，通过使用英飞凌的氮化镓场效应晶体管取代电源转换器中以前的硅开关，并以更高的开关频率运行晶体管，可以将电池系统的重量减轻33%，系统成本最多可降低25%。

京瓷和ESK联手生产SiC产品

据外媒报道，材料公司ESK-SiC GmbH与陶瓷和半导体技术专家京瓷（Kyocera）建立了合作伙伴关系，为SiC和相关终端产品的可持续生产开发解决方案。据悉，副产品和报废陶瓷将使用RECOSiC技术进行回收，并用以生产专门针对各种终端应用量身定制的原材料。

强强联合！芯联动力与南瑞半导体深化SiC芯片合作

2月6日，芯联集成（原“中芯集成”）下属子公司芯联动力与国电南瑞控股子公司南京南瑞半导体的签约仪式在南京举行。根据协议，两家公司将在SiC芯片等产品上展开科技研发、供应链保障、市场拓展等全方位的深度合作，进而加强双方在新型电力系统领域的竞争优势。据悉，南瑞半导体公司定位为国家电网公司功率半导体产业解决方案的提供商。芯联动力公司定位为车规级SiC制造及模组封装的一站式系统解决方案提供者，也是国内率先大规模量产新能源汽车SiC主驱逆变器SiC企业。

值得一提的是，近日，芯联集成官宣与蔚来签署了SiC模块产品的生产供货协议。按照双方签署的协议，芯联集成将成为蔚来首款自研1200V SiC模块的生产供应商，该SiC模块将用于蔚来900V高压纯电平台。此外，芯联集成在近期公布的2023年业绩预告中表示，公司正在建设的国内第一条8英寸 SiC 器件研发产线将于2024年通线，同时将与多家新能源汽车主机厂签订合作协议，2024年SiC业务营收预计将超过10亿元。

出货量突破1500万只，中国电科驰骋第三代半导体“黄金赛道”

近日，中国电科自主研制的40台碳化硅外延炉成功进驻客户现场。在新能源汽车、工业互联、5G通信、消费电子等多重需求强力拉动下，以碳化硅为代表的第三代半导体产业迅猛发展。中国电科高度重视第三代半导体产业布局，集聚全国50多家产学研用优势单位，牵头组建国家第三代半导体技术创新中心，完成从材料、装备、工艺到器件、模块、应用的体系化布局，推动第三代半导体产业创新能力整体跃升。

月产12,000片！这条SiC功率器件晶圆线，加快推进！

士兰明镓公司正在加快推进“SiC 功率器件生产线建设项目”的建设。目前，士兰明镓公司已具备月产 3000 片 6 吋 SiC-MOSFET 芯片的生产能力，现有产能已满载。士兰明镓正在加快项目设备的购置和安装调试，预计 2024 年年底将具备月产12,000 片 6 吋 SiC 芯片的产能。近几个月来，基于士兰明镓 SiC-MOSFET 的电动汽车主驱功率模块，已通过国内多家客户的质量认定，与国际大厂的量产水平相当，并已接获批量订单开始陆续交付。

河南首块8英寸SiC单晶出炉！

据中国平煤神马集团官微消息，近日中宜创芯公司实验室成功生长出8英寸SiC单晶晶锭，验证了该公司SiC半导体粉体在长晶方面的优势，标志着河南省SiC半导体技术进入国内主流行列。据介绍，中宜创芯利用国内外先进的粉体合成炉和自动化无污染破碎技术组织研发生产，具有单炉产能大、颗粒度大、纯度高、阿尔法含量高和游离碳低等优点，更适合8英寸SiC厚单晶晶锭的生长。

据悉，2023年9月21日，中宜创芯年产2000吨电子级SiC粉体项目启动试生产。2023年国庆期间，经权威机构检测，中宜创芯首炉SiC产品纯度为99.99996%，达到国内优等品标准。10月17日该项目一期试生产结束，第一批设备全部投料完成，标志着河南电子级SiC粉体开始进入批量生产阶段；12月19日宣布达产500吨。项目达产后，预计产能位居全国前列，产品在国内市场占有率在30%以上，全球市场占有率在10%以上。

108亿！美国商务部大力扶持GaN大厂格芯

作为芯片和科学法案的一部分，美国商务部近日宣布计划向格芯(GF)提供15亿美元（折合人民币约108亿元）的直接资助，用以扩大其在美国的GaN晶圆厂产能。部分拟议资金将支持格芯建立美国第一家能够大批量生产下一代GaN半导体的工厂，这些半导体将用于电视、电网、数据中心、5G和6G智能手机以及其他关键技术。值得一提的是，2023年10月，格芯GaN项目还获得了美国政府3500万美元（折合人民币约2.5亿元）的资助。

这笔15亿美元的投资还将有助于提升和扩大格芯现有佛蒙特工厂的产能。此外，投资还将用于格芯位于纽约州马耳他的工厂，增加格芯新加坡和德国工厂已经投入生产的技术，为美国汽车行业提供服务。

美国向SK Siltron CSS提供5.44亿美元贷款用于高质量SiC晶圆的生产

2月23日，美国能源部（DOE）贷款计划办公室（LPO）宣布向SK Siltron CSS， LLC提供5.44亿美元的有条件贷款，以扩大美国电动汽车（EV）电力电子设备用高质量碳化硅（SiC）晶圆的生产。碳化硅半导体专为高压应用而设计，是电动汽车传动系统的关键部件，包括逆变器，以及车载充电器和DC-DC转换器等配电系统。该项目预计将在扩建阶段创造多达200个建筑工作岗位，并在位于密歇根州贝城的SK siltron CSS工厂全面生产时创造多达200个熟练、高薪的运营工作岗位。该工厂预计将成为全球五大碳化硅硅片制造商之一，提高美国的制造业竞争力，并扩大我们在未来清洁能源技术方面的全球领导地位。

世界先进：氮化镓项目获政府补贴0.35亿，预计三年后进入量产

近日，据台媒报道，中国台湾经济部门将给世界先进提供1.5亿新台币（约合人民币0.35亿元）研发补助，将用于全球首例氮化镓外延结合8吋QST衬底，以及1200V高效能氮化镓功率元件制程技术项目。据悉，世界先进为此投资4.26亿新台币，充分利用GaN-on-QST 8吋衬底热匹配特性，预期提升器件耐压至1200V以上，主要对标电动车车载充电器、充电桩等高压高功率系统的器件市场，未来将投入车用及工业应用市场。

芯华睿：总投资5亿元，规划年产SiC模组200万只

2月19日，据东台日报消息，江苏芯华睿微电子已全面步入试生产阶段。此前，根据东台市政府办文件透露，芯华睿的《新能源及车规功率半导体项目》在东台市高新区落地建设，将聚焦Si、SiC车规级功率半导体研发生产。

据悉，该项目属于新建项目，总投资为5亿元，租用现有厂房进行建设，建筑面积约为1.56万平方米，购置全自动银烧结及贴装设备、全自动印刷机、贴片机、真空回流炉等主要设备近百台/套，外购8寸/12寸硅基、碳化硅大功率芯片等原材料，其中预计IGBT芯片年用量为1080万颗，SiC芯片年用量为3200万颗。项目建成达产后，可年产汽车、光伏、工控功率模组产品200 万只。

长晶科技：投资9.5亿元，或将年产SiC功率器件200亿颗

近日，据“浦口发布”消息，长晶科技的新型元器件项目在浦口经济开发区建设，或将生产SiC、IGBT功率器件。该项目由长晶科技旗下浦联半导体投资建设，总投资9.5亿元，在2024年计划投资3亿元，总建筑面积约12.9万平方米，主要生产表面贴装的半导体分立器件和功率器件。项目建成投产后，预计年产器件200亿颗，年产值12亿元，年税收5000万元，可带动就业1200人。浦联半导体目前掌握了SGT MOSFET、CSP MOSFET、超结MOSFET、IGBT单管、SiC肖特基二极管等产品关键技术，开发的部分新产品在技术水平上处于国内前列，具有较强的市场竞争力。

新华锦：投资20亿元用于SiC碳材料项目，规划年产能为6000吨

2月21日，山东省平度市成功举行了2024年的重点产业项目春季集中签约活动，包括新华锦第三代半导体碳材料产业园项目在内的48个项目顺利签约。据悉，新华锦第三代半导体碳材料产业园项目由新华锦集团投资兴建，总投资额为20亿元，主要规划包括建设年产5000吨半导体用细颗粒等静压石墨和1000吨半导体用多孔石墨的生产基地。

值得关注的是，2023年11月，新华锦集团旗下华锦新材宣布正式点火投产。该项目主要生产第三代半导体芯片用特种石墨材料，主要应用于SiC衬底热场领域等需求，有望填补市场上的自主产品空白，解决该领域内的关键核心难题。

ASE半导体：新建项目投资1.42亿元，将生产SiC清洗机等产品

2月20日，“水韵巴城”发布消息称，昆山市巴城镇成功签约2个韩资半导体项目，总体投资达5000万美元（约合人民币3.56亿），其中包含1个碳化硅项目。据悉，该项目由韩国ASE半导体投资2000万美元（约合人民币1.42亿元）进行建设，致力于半导体清洗机、电力半导体碳化硅清洗机、刻蚀机、液晶清洗机的研发、生产和销售。ASE半导体是韩国首家成功完成了对20纳米级半导体用硅晶圆清洗设备的国产化公司，此次签约，是韩国ASE株式会社在中国投资的全新项目。

广州新增一SiC项目，产能或达80万只

2月15日，据广州新快报社消息，位于广州番禺区化龙镇的广汽智联新能源汽车产业园已陆续开工，其中包括1家碳化硅模块厂商——广州青蓝半导体。据介绍，青蓝半导体打造了国内先进的半导体IGBT/SiC生产线，实现自动化、24小时不间断生产。2023年12月，青蓝半导体在IGBT项目投产仪式上宣布，他们的项目总投资4.63亿元，两期项目达产后可实现IGBT模块产能达80万只/年。公开信息显示，2021年12月，青蓝半导体由广汽集团子公司广汽零部件有限公司与株洲中车时代半导体公司合资成立，注册资本3亿元。其中广汽部件占比51%，株洲中车占比49%。

这个8英寸SiC和GaN晶圆厂项目签约福建

2月20日，福州市可持续发展暨企业家大会召开，大会进行了重大项目集中签约仪式，长乐区签约落地16个重大项目，其中之一为天睿半导体项目。据悉，天睿半导体项目将新建8英寸碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶圆厂，并通过产业并购和新建项目等方式布局第三代半导体衬底外延、晶圆制造、器件设计、系统应用及相关设备生产等全产业链。

值得一提的是，福州近日还新签约两个GaN项目，总投资额超10亿元。其中之一为芯睿半导体GaN晶圆厂项目，由福建芯睿半导体有限公司建设。另外一个项目为福州镓谷GaN外延片项目，由福州镓谷半导体有限公司建设，主营第三代半导体的研发与生产，预计投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片。

SiC外延设备厂商芯三代拟A股IPO！

2月18日，证监会披露了关于芯三代半导体科技 (苏州) 股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案报告。资料显示，芯三代成立于2020年9月，致力于研发生产半导体相关专业设备，目前聚焦于第三代半导体SiC-CVD装备。该公司将工艺和设备紧密结合研发的SiC-CVD设备通过温场控制、流场控制等方面的设计，在高产能、6/8英寸兼容、CoO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性和可靠性等方面都具有明显的优势。

功率半导体器件厂商芯长征拟A股IPO

近日，证监会披露了关于江苏芯长征微电子集团股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案报告。资料显示，芯长征是一家集新型功率半导体器件设计研发与封装制造为一体的高新技术科技企业，核心业务包括IGBT、coolmos、SiC等芯片产品及技术开发、IGBT模块设计、封装、测试代工等。融资方面，2023年1月，芯长征完成数亿元D轮融资。本轮融资后，芯长征将进一步加大在汽车和新能源等领域的研发投入及产能扩充，为客户提供更优质的产品和服务。

中机新材完成过亿元A轮融资

深圳中机新材料有限公司完成过亿元A轮融资。据悉，传统磨抛方案中，研磨液占SiC衬底原材料成本的15.5%，传统多晶和类多晶研磨成本中高氯酸占总成本的30%，并且高氯酸产生的环境污染时间长、范围广、难以根除。

而中机新材首创的团聚金刚石技术，替代了多晶和类多晶，生产过程环保并降低了成本。耗液量上，团聚金刚石方案用量仅为3μm单晶金刚石方案的20%，即使选用昂贵的进口团聚金刚石，6英寸SiC衬底片加工也有成本优势。目前，中机新材已成功进入比亚迪、天岳先进、同光半导体、天域半导体、合盛硅业、晶盛机电、露笑科技等头部企业。

美浦森半导体完成A3轮融资

深圳市美浦森半导体完成A+轮融资，投资方为深圳深照、卓源资本。据悉，美浦森半导体成立于2014年，公司核心主创团队来自于中芯国际、华虹半导体、美国AOS、韩国Power Devices等厂家，拥有15年以上的功率半导体器件研发及市场经验。

晶亦精微科技成功过会，2024第一家半导体设备申报

北京晶亦精微科技股份有限公司的首次公开募股（IPO）成功获批，预计将在科创板挂牌上市。这一动作标志着又一家专注于碳化硅（SiC）相关技术的企业即将迈入公开市场，展示了第三代半导体材料领域的蓬勃发展势头。

晶亦精微主打化学机械抛光（CMP）设备及其配件，为半导体制造提供关键技术支持。公司此次拟募资12.9亿元人民币，资金将主要用于高端半导体装备研发项目、工艺提升及产业化项目以及研发与制造中心建设项目等，其中包括对SiC材料CMP成套工艺及设备的开发，以及研磨液循环利用系统、研磨液均匀分布系统等技术的产品化和产业化。

志橙半导体IPO已问询，募集8亿投资SiC项目

2月3日，据深交所创业板信息披露，志橙半导体提交上市申请书于2023年6月26日被受理，目前处于第三轮问询状态。本次招股预计融资8亿元。根据招股书内容，志橙半导体本次募集资金拟投入公司SiC项目，虽然拟募集8亿元，但项目总投资超11亿元。

志橙半导体公司是一家主要研发、生产、销售用于半导体设备的SiC涂层石墨零部件产品，并提供相关SiC涂层服务的国家级专精特新“小巨人”企业。主要产品可用于SiC外延设备、MOCVD设备、Si外延设备等多种半导体设备反应腔内，参与外延片制造、晶圆制造等不同制造环节，广泛应用于半导体及泛半导体领域。

SiC，迎来劲敌

过去十年，半导体领域最大的故事之一就是在电力电子领域意外超越传统硅——碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN) 已超越硅，占领了价值数十亿美元的细分市场市场的。那么下一个新型功率半导体是什么？目前，人们的注意力集中在三种候选材料上：氧化镓、金刚石和氮化铝(AlN)。它们都具有显著的特性，但也存在迄今为止阻碍商业成功的根本弱点。然而，得益于最近的几项突破，包括名古屋大学在去年 12 月于旧金山举行的最新IEEE 国际电子器件会议上报告的一项技术进步，AlN 的前景已大大改善。有业内人士指出：希望在 3-5 年内解决AlN商用问题，并在 2030 年代实现基于 AlN 的功率器件的商业化。

GaN开启了“无限复制”时代！

2月21日，光州科学技术院（GIST，校长Kichul Lim）宣布，学校电气工程与计算机科学学院的Dong-Seon Lee教授的研究团队已经开发出了仅采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）的氮化镓（GaN）半导体远程同质外延技术。

外延技术，即在半导体制造中将半导体材料生长成对齐良好的薄膜，对于半导体制造至关重要。使用外延技术进行的GaN远程同质外延在GaN晶片上形成了二维材料。可以在晶片上生长出与晶片质量相同的GaN半导体，并容易地移除，从而实现使用单个GaN晶片连续生产GaN半导体。

Dong-Seon Lee教授说：“这项研究实现了之前被认为是不可能的‘GaN远程同质外延’技术。虽然它仍处于早期阶段，但我们希望依托这项技术，引领未来基于此技术的微LED和下一代GaN功率半导体市场，并将其应用于未来显示器上。

北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用

目前GaN功率器件的短路可靠性仍处于较差的水平，这阻碍了其在工业级高功率领域的大规模应用。负载短路状态下，GaN功率器件同时承受高电压和大电流，快速导致晶体管损坏。尽管目前有大量关于测试表征GaN器件短路能力的研究，但很少报道提高其短路能力的方法。为了解决这个问题，有必要降低器件饱和电流密度，以提高晶体管本身固有的短路能力。

针对上述问题，北京大学集成电路学院魏进课题组开发了一种新型GaN功率晶体管结构，在紧邻源极的区域引入一个肖特基延伸区。所提出的器件具有更低的饱和电流密度，实现了短路能力的大幅度提高。在片测试表明，该新型器件可以承受>650V的短路脉冲测试。该技术为提高GaN功率器件的短路能力提供了一种超具前景的解决方案，对推动GaN功率器件在工业、汽车应用中的发展具有重要意义。

80W无线快充将至，短期内或依旧是旗舰机专属

日前有消息显示，小米的80W无线充电技术已完成测试，今年年内或将落地应用。但相关消息源同时指出，即将发布的小米14 Ultra或将不会配备这一新的无线充电方案，而是大概率会沿用现款的最高功率达50W的无线快充，但后续用上80W无线快充方案的机型，极有可能依旧是定位高端市场的旗舰机型。

事实上，目前智能手机将无线充电最高功率限制在50W，源自2021年2月19日工信部无线电管理局明确要求强调无线充电额定传输功率不超过50W。后续，工信部方面印发了将于2024年9月1日起执行的《无线充电（电力传输）设备无线电管理暂行规定》，其中要求“移动、便携式无线充电设备，其工作频率范围为100-148.5kHz、6765-6795kHz、13553-13567kHz频段，且额定传输功率不超过80W”。进一步放宽的无线充电功率限制，对于相关技术的落地和成熟无疑将会起到一定的促进作用。

重磅Nature Energy：钠电池新突破！

钠电池，作为锂基电池的一种替代产品，由于其在经济上可持续性方面的优势，尤其是考虑到钠矿物的丰富资源、广泛分布和低成本，被认为是下一代能量存储系统的重要候选者。目前的电解质体系中，钠的低电位通常导致电解质盐和溶剂的不受控制的还原，形成不稳定的固体电解质界面。这种不稳定性导致钠枝晶的不受控制生长，进而导致电解质的持续消耗和钠库存的不可逆损失。

针对这一问题，德克萨斯大学奥斯汀分校德克萨斯材料研究所Arumugam Manthiram等人于Nature Energy刊发表“Tuning the solvation structure with salts for stable sodium-metal batteries”的研究成果，他们提出了一种新颖的电解质设计方法，即利用盐作为稀释剂来降低昂贵的稀释剂和盐的用量。通过使用硝酸钠作为模型稀释剂，提出了一种非易燃、经济实惠的TMP电解质体系，其中NaFSI和NaNO3的低浓度显著降低了LHCE所需的盐量，降低了电解质的成本。这种TMP电解质体系能够形成紧凑、均匀的盐衍生的电极-电解质界面层，显著提高了钠金属电池的稳定性。

凹凸不平的半球形光伏电池来了：可多收集66%的能量

近日，土耳其阿卜杜拉居尔大学的研究人员提出了一种有机光伏电池结构的半球形壳形状，旨在增强光吸收和角度覆盖。他们采用三维有限元分析方法研究了半球壳状有源层内的吸收光谱。研究表明，在有机太阳能电池表面建造微型圆顶可以将其效率提高三分之二，同时从更广泛的角度捕获光线。在这项新研究中，研究人员对圆顶形凸起如何增强有机太阳能表面性能进行了复杂的数值模拟，相关研究成果已于2月14日发表在《能源光子学杂志》上。

Yole：2028年功率器件市场将达333亿美元

受电动和混合动力电动汽车(xEV)、可再生能源和工业电机等应用推动，Yole预计到2028年，全球功率器件市场将增长至333亿美元，中国厂商将在电动汽车产业的优势下迅猛发展。

Yole新近数据显示，全球功率器件市场将从2023年的约230亿美元快速增长到2028年的333亿美元，这一需求需要建立更多的硅、SiC和GaN功率器件制造产能来支撑在SiC功率器件领域，主要受电动汽车的推动，预计到2028年电子电力器件的市场规模占比将达25%左右；在GaN功率器件领域，主要受到消费类快充以及智能手机、电脑适配器需求推动。

一直以来，硅器件厂商在不断发展，并积极拥抱转向12英寸晶圆的趋势，以提升产能并降低单颗裸芯的成本。硅晶圆也可用于传感器等其他微电子器件，因此与从6英寸碳化硅晶圆过渡到8英寸相比，投资12英寸晶圆制造设备的风险更低。

Yole电力电子首席分析师Ana Villamor预测，未来五年内，在当前5600万片8英寸等效晶圆的基础上，每年将增加2500万片8英寸等效晶圆产能，这是一个超强投资周期，也是电子电力行业有史以来最大的投资周期。

多家功率器件原厂发布涨价函，涨价幅度最高达20%

近期，由于全球范围内的半导体原材料供应紧张，导致价格不断上涨。多家功率器件原厂发布了涨价函，这一消息引起了业界的广泛关注。这些原厂包括国际知名厂商和国内领先企业，他们纷纷表示，由于原材料价格上涨、人工成本增加等因素，不得不调整产品价格。

在涨价函中，各家原厂详细列出了涨价的具体原因。首先，全球范围内的半导体原材料供应紧张，导致价格不断上涨，同时引线框架等封装材料价格也同步上涨。此外，随着科技的不断发展，功率器件的制造工艺越来越复杂，生产成本也在不断增加。同时，人工成本（人工、房租、税费等）的增加也是不可忽视的因素之一。为了保持企业的正常运营和盈利能力，功率器件原厂方面不得不提高产品价格，以应对持续低迷的市场。

碳化硅五巨头业绩出炉：技术创新与市场策略并行

意法半导体在2023年的全年财报中呈现出亮眼的业绩，净营收达到了172.9亿美元，实现了7.2%的增长率；毛利率为47.9%，而营业利润率高达26.7%，净利润为42.1亿美元。在这一系列令人印象深刻的财务指标中，特别值得注意的是其在碳化硅产品领域的卓越表现。碳化硅产品营收飙升至11.4亿美元，同比增长超过60%，这一成绩不仅展示了碳化硅产品在全球市场上强劲的需求，也体现了意法半导体在这一领域的技术领先和市场竞争力。

意法半导体在生产和制造方面的新动态凸显了公司对碳化硅（SiC）产业的深度投入和战略布局。通过在卡塔尼亚和新加坡的工厂增加前端设备，并提升摩洛哥和中国工厂的后端制造产能，意法半导体显著扩大了其生产规模和效率。特别值得关注的是，公司在卡塔尼亚工厂部署的新型集成碳化硅衬底设备已经开始投产，这标志着其碳化硅IDM（集成器件制造）战略的关键进展。

英飞凌科技在2024财年第一季度展现了令人瞩目的财务业绩，营收达到37.02亿欧元，利润高达8.31亿欧元，实现了高达22.4%的利润率。这一成绩不仅彰显了英飞凌在除汽车行业外其他市场环境疲软情况下依然保持的强劲盈利能力，也体现了公司通过技术创新、成本控制和市场扩张等策略在全球汽车市场中占据的重要地位。

首席执行官Jochen Hanebeck指出英飞凌在面对宏观经济挑战时的坚韧业绩，尽管预计消费、通信、计算和物联网应用领域的需求在2024年上半年不会明显复苏，英飞凌对汽车行业的预期依然坚定不移。这种持续适应市场形势的能力，以及对未来低碳化和数字化趋势的投资，为公司的长期增长奠定了坚实的基础。

Wolfspeed在2024财年前半年的财务报告揭示了其在碳化硅器件领域的业绩增长以及面临的挑战。第二季度营收达到了2.08亿美元，同比增长约20%，主要得益于功率器件业务的强劲表现，其中收入创下1.08亿美元的新高。然而，尽管营收呈现增长，公司的净亏损同比扩大至5.4亿美元，净亏损率大幅增加，显示了公司在维持营收增长的同时面临着盈利压力。

Wolfspeed的毛利率为16.4%，低于市场预期，反映了制造成本增加、产销趋缓和通胀影响的挑战。公司经营费用的同比增长和利润的亏损进一步暴露了公司在运营效率和成本控制上的压力。

安森美公司在2023年展现了强劲的增长势头，尤其在汽车业务领域取得了显著的成绩。第四季度总营收达到20.18亿美元，超出市场平均预期，净利润虽同比下滑7%至5.63亿美元，但汽车业务收入却创下43亿美元的年度纪录，同比增长29%。这一成绩不仅凸显了安森美在汽车行业中的领先地位，也反映了公司在技术创新和适应市场变化方面的强大能力。

安森美的成功也得益于其在碳化硅业务上的显著成就，实现了同比增长四倍的佳绩。这种全面增长策略使得公司能够在全球半导体行业的不确定环境中保持竞争力，并实现可预见和可持续的成长。

高意光电（Coherent）作为全球材料、网络和激光领域的领导者之一，在工业、通信、电子和仪器市场均有所涉及，其中碳化硅衬底仅是其众多业务中的一环。2023年11月7日，高意光电发布了2024财年第一季度的财务报告，报告显示公司营收有所下降，并同时公布了一系列重组计划，以应对当前行业面临的挑战。

根据该财报，高意光电第一季度的营收为10.53亿美元，相比于上一季度及去年同期均出现下滑。尽管营收面临压力，公司的毛利率仍维持在34.8%的稳定水平。尽管公司出现了净亏损，但净收入仍然为正，这反映了高意光电在成本控制和运营效率方面的有效管理。值得注意的是，尽管高意光电预计2024年下半年材料部门的需求将会疲软，但碳化硅的需求仍旧强劲。这一趋势得到了DENSO和三菱电机等合作伙伴的支持，它们已承诺向高意光电投资总计10亿美元，以支持公司的6英寸和8英寸碳化硅衬底及外延片的需求。

天岳先进导电型碳化硅衬底市占率跃居全球第二

2月18日，中国碳化硅衬底企业迎来好消息。日本行业调研机构富士经济发布报告显示，在2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率排行中，中国天岳先进（SICC）超过美国Coherent（原名II-VI），跃居全球第二。另一家中国公司天科合达（TankeBlue）则市场份额位列第四。Wolfspeed连续多年市占率第一，但受到来自其他衬底公司的竞争压力，占比持续下滑。

报告还指出，在电动汽车、电力设备以及能源领域驱动下，SiC功率器件市场需求整体坚挺， 2030年SiC功率器件市场规模将达到近150亿美元，占到整体功率器件市场约24%，2035年则有望超过200亿美元，届时SiC器件市场规模将占到整体功率器件的40%以上。为此，业内主要厂家都在积极进行扩建以及做好设备投资的准备，特别是中国企业，除满足本国需求外，开始不断扩张世界范围内的市场占有率。其中备受关注的依然是衬底材料。

根据报告分析，全球SiC衬底销售主要分布在四大市场，日本17.4%、中国24.4%、北美20%、欧洲29%。欧洲已成为全球最大的SiC衬底市场，报告指出：天岳先进先后和英飞凌、博世签订了长期供应协议，2023年和英飞凌签订了新的供应协议。

来源 | Yole、集邦化合物半导体、行家说三代半、环球零碳、全球半导体观察、今日半导体、碳化硅SiC半导体材料、充电头网等。

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