浙江一晶科技股份有限公司
浙江一晶科技股份有限公司
展位号：1J71
产品名称：石英晶体，振荡器 ,微机械谐振器,射频,晶体振荡器, VCXO模块, TCXO模块,可编程振荡器,SMT振荡器,音叉振荡器
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产品应用在数码通、智能家居、物联网、5G、便携电脑、智能电视、医疗仪器、智能穿戴和汽车电子等市场的需求
镓能半导体（佛山）有限公司
镓能半导体（佛山）有限公司
展位号：1S73
产品名称： GP16520DS
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650V N-channel GaN FET in DFN6X8 （ GP16520DS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（64毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
镓能半导体（佛山）有限公司
镓能半导体（佛山）有限公司
展位号：1S73
产品名称：GP36515S
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650V N-channel GaN FET in SOP-16-W（GP36515S）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
镓能半导体（佛山）有限公司
镓能半导体（佛山）有限公司
展位号：1S73
产品名称：GP16510S
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650V N-channel GaN FET in SOP-16-W（GP16510S）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（128毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
镓能半导体（佛山）有限公司
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展位号：1S73
产品名称：GP16520L
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650V N-channel GaN FET in LGA（GP16520L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（64毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
镓能半导体（佛山）有限公司
镓能半导体（佛山）有限公司
展位号：1S73
产品名称：GP16530DS
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650V N-channel GaN FET in DFN6X8 （GP16530DS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（64毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。
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