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镓能半导体（佛山）有限公司

展位号：1S73

产品名称：GP16515DS

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DFN6X8 （GP16515DS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85.3毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

镓能半导体（佛山）有限公司

展位号：1S73

产品名称：GP16510L

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650V N-channel GaN FET in LGA （GP16510L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（128毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

镓能半导体（佛山）有限公司

展位号：1S73

产品名称：GP16515L

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650V N-channel GaN FET in LGA（GP16515L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85.3毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

镓能半导体（佛山）有限公司

展位号：1S73

产品名称：GP16510TS

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650V N-channel GaN FET in TO-220 (Drain Tab)（GP16510TS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（128毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

镓能半导体（佛山）有限公司

展位号：1S73

产品名称：GP16515TS

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650V N-channel GaN FET in TO-220 (Drain Tab)（GP16515TS）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（85.3毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。

镓能半导体（佛山）有限公司

展位号：1S73

产品名称：GP16530L

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650V N-channel GaN FET in LGA（GP16530L）封装的650V N沟道GaN FET拥有低通态电阻（42.7毫欧）、低开关损耗、低反向恢复电荷、低门极电荷、高耐热性、高可靠性、反向导通特性、可以实现高开关频率更小的反向恢复损耗，符合RoHS标准，适用于在高频操作。DFN6X8封装的650V N沟道GaN FET可以应用于紧凑型DC-DC转换器、交流电机驱动器、电池充电器以及开关模式电源。