深圳会展中心(福田)
2025年8月
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东芯半导体股份有限公司
展位号:
1C16
产品名称:
Parallel NAND Flash系列产品
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PPI NAND Flash兼容传统的并行接口标准,适合大数据的读写。可提供容量从1Gb到8Gb, 3.3V/1.8V两种电压和三种封装方式的产品,以满足不同应用场景。在网络通信,智能音箱,安防监控,机顶盒等领域中广泛应用。
东芯半导体股份有限公司
展位号:
1C16
产品名称:
Serial Nor Flash系列产品
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可提供具有通用SPI接口不同规格的NOR Flash,容量从2M到128Mb,3.3V/1.8V两种电压,支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种模式以及多种封装方式,可适应多种应用场景。由于专注在小容量,性价比高,所以在对空间需求不高的设备中广泛应用。
东芯半导体股份有限公司
展位号:
1C16
产品名称:
DDR3 系列产品
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相对与DDR1/DDR2,DDR3具有更高的传输率及更低的工作电压。提供1.5V/1.35V两种电压模式,且具有标准SSTL接口的1Gb DDR3 SDRAM, 具有8n-bit prefetch DDR架构,8个内部bank。他是主流的内存产品,在网络通信,消费电子,智能终端,物联网等几乎所有电子产品领域都有广泛应用。
东芯半导体股份有限公司
展位号:
1C16
产品名称:
MCP 系列产品
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具有NAND Flash和DDR多种容量组合的MCP,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V不仅可用于常见有源器件,更可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP将Flash和DDR合二为一进行封装,不仅具有成本优势,更是简化了走线设计,节省了空间。
东芯半导体股份有限公司
展位号:
1C16
产品名称:
MCP 系列产品
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具有NAND Flash和DDR多种容量组合的MCP,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V不仅可用于常见有源器件,更可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP将Flash和DDR合二为一进行封装,不仅具有成本优势,更是简化了走线设计,节省了空间。
东芯半导体股份有限公司
展位号:
1C16
产品名称:
SPI NAND Flash系列产品
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单芯片设计的串行通信方案,不但引脚少和封装尺寸小,且在一颗芯片上集成了存储阵列和控制器,还同时带有内部ECC。使它在满足数据传输效率的同时,既节约空间提升稳定性,又提升了性价比。其中产品有3.3V /1.8V 高低电压,不仅能满足常规对功耗不敏感的有源器件,也使其在目前日益普及的移动互联网及物联网设备中有足够的发挥空间。产品更是拥有多种封装,可更灵活的满足很多应用场景。比如常规的光猫,路由器,网络摄像监控,物联网及智能音箱等。系列产品在第七届中国电子信息博览会中获得创新奖。
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