三代半专题 | 大族半导体:SiC晶圆激光切割整套解决方案的应用
碳化硅材料正逐渐被广泛用作功率分立器件(如MOSFET和肖特基二极管等)的首选衬底材料。碳化硅衬底具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的耐热性等优势。同时,拥有卓越性能的碳化硅衬底因其硬度高、脆性大等材料特性也给晶圆切割工艺带来了挑战。传统的机械切割技术存在效率低、损伤严重等问题,难以满足实际需求,相比之下,激光改质切割技术采用了激光束内部改质的方式进行切割,具有高效率、高精度、无损伤等优点,因而逐渐成为了切割碳化硅这类硬度高、脆性大材料的首选技术。本文旨在深入探讨激光改质切割碳化硅晶圆的原理、优势、难点等方面,为相关从业者提供一些实用的参考和启示。
2023-05-24 15:05
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